MOSFET-Transistor - SCT4013DR - ROHM Semiconductor - Leistung / Schalt / Silizium
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 30A, TO-263-7, Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs Transistoren, 1 Stück | C3M0075120J : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
Neu erschienen: Verena Grifone Fuchs – Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D – BibBlog – Weblog der Universität Siegen
Mehr E-Auto-Reichweite: Antriebsstrang mit SiC-Halbleitern verbessert
Multiscene Siliziumkarbid-Leistung Mosfet 650V für Solarumrichter
650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser
Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter - Microchip Technology | Mouser
1200-V-EliteSiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) - onsemi | Mouser
Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering
650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation | DigiKey
Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor
650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser
Rohm SCT2450KE
650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser
UF3C065040K4S Unitedsic, Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal | Farnell DE
650-V-Siliziumkarbid-MOSFETs - Cree Wolfspeed | DigiKey
1 Stück g3r75mt12k Siliziumkarbid-Mosfet 41 a1200v bis-247-4 - AliExpress
So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren
Präziser Blick ins Innerste von Transistoren hilft Energie sparen | FAU Erlangen-Nürnberg
NVHL075N065SC1 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte | DigiKey
1 Stück g3r75mt12k Siliziumkarbid-Mosfet 41 a1200v bis-247-4 - AliExpress
Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
900-V-EliteSiC (Siliziumkarbid)-MOSFETs - onsemi | Mouser
Siliziumkarbid-MOSFETs - Micro Commercial Co | DigiKey
onsemi NTH NTHL040N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 60 A, 4-Pin TO-247-4
