Neues Gehäuse für OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs ermöglicht Source-Down-Technologie von 25 V bis 100 V für 3,3 x 3,3 mm2-PQFN-Gehäuse - Infineon Technologies
Superjunction-MOSFETs von Nexperia | Elektor Magazine
40 A/30 V Leistungs-MOSFET benötigt nur 3,3 x 3,3 mm²: DI040N03PT-AQ: Niedriger Rds(on) im winzigen QFN3x3-Gehäuse
MOSFET DTMOS VI im TOLL-Gehäuse - Toshiba | DigiKey
Automotive-MOSFETs - Infineon Technologies | Mouser
3D Freunde Mosfet Case, MOS Gehäuse von Rob | Kostenloses STL-Modell herunterladen | Printables.com
Infineons OptiMOS™ neu bei Rutronik: Leistungs-MOSFETs im Source-Down Gehäuse-Upgrade
Leistungs-MOSFET: Neues Gehäuse für besseren Schutz - Automotive - Elektroniknet
Transistor N-MOSFET T2910 100V / 21A - THT - TO220
STMicroelectronics SCT055HU65G3AG N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 30 A HU3PAK | RS
P-Kanal-MOSFET im LFPAK-Gehäuse - Nexperia | DigiKey
G3VM-VY MOSFET-Relais im SOP-Gehäuse - Omron Electronics | Mouser
3D Freunde Mosfet Case, MOS Gehäuse von Rob | Kostenloses STL-Modell herunterladen | Printables.com
International Rectifier – Strahlungsfeste Power MOSFET Thru-Hole (Niedrig-Ohm Variante im TO-257AA Gehäuse), 60V, 30A, P-Channel, R 9 Superjunction Technologie (04/2022)
Leistungs-MOSFET – Wikipedia
3D-Datei GT2560 mit MOSFET-Gehäuse 🔧 kostenlos・3D-Druck-Idee zum Herunterladen・Cults
MOSFETs
Automotive MOSFETs – Auf die Verpackung kommt es an
Ineltek » Blog Archiv Nuvoton platzsparende MOSFETs im CSP Gehäuse • Ineltek News
News | channel-e
SiC-MOSFETs C3M™ im TOLL-Gehäuse - Wolfspeed | Mouser
Nexperia steigt in den SiC-MOSFET-Markt ein
OptiMOS™-Leistungs-MOSFET-Gehäuse TOLT - Infineon | DigiKey
3 Stück STD3NC60 | POWER MESH II MOSFET N-CHANNEL | 600V | 1.80 Ohm | 3.2A | 60W | STMicroelectronics | DPAK/TO-252 Gehäuse : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
CoolSiC 62 mm-Modul eröffnet neue Anwendungen für Siliziumkarbid | Elektronik News
